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第一至三代半导体材料渊源和概况

时间:2022-07-07 10:25:02 来源:网友投稿

下面是小编为大家整理的第一至三代半导体材料渊源和概况,供大家参考。

第一至三代半导体材料渊源和概况

 

 、

 。

 、

 、

 元素半导体材料

 锗 ( 2 0 世 纪 5 0 年代 )硅

  第 一 代

 应用范围

 半导体分立器件

  I C

  ……

  技术最成熟 、 成本最低 、 产 业 链最完善

  砷化镓 ( G a A s )

 电子迁移率是硅的 6 倍 , 具有直接带隙

 相比于硅 , 具有高频 、 高速的光电性能

  适合作为通信用半导体材料

  在军事电子系统中的应用较为广泛

 二元化合物半导体材料

  磷化铟 ( I n P )

 ……

  铝砷化镓 ( G a A s A l )

 三 元化合物半导体材料

  磷砷化镓 ( G a A s P )

 ……

  主要有

  固溶体半导体材料

  锗硅 ( Ge- S i )

 砷化镓 - 磷化镓 ( G a A s-G a P )

 ……

 半导体材 料 进化史

  玻璃半导体 ( 又称非晶态半导体 )

 材料

  非晶硅

  玻璃态氧化物半导体

  ……

 第二代

 有机半导体材料

  酞菁 酞菁铜

 聚 丙 烯腈

  ……

  高速

  高频

  大功率半导体器件

 、

 、

 应用范围

  发光电子器件

  卫星通信 、 移动通信 、 光通信和 G PS 导航系统

  ……

 较为成熟

  宽禁带 ( 禁带宽度 Eg > 2 . 3 eV )

 的半导体材料

  金刚石

 第 三 代

  氧化锌 ( Z n O )氮化铝 ( A lN )

 起步阶段

 高温

  高频

  抗辐射及大功率器件

 、

 、

  应用范围

 ……

 宽禁带

  S i C 半导体材料性能特点

  高击穿电场

  高热导率

  S i C 功率模块

  半导体

 宽禁带半导体材料 , 适于制造高温 、 高频 、 抗辐射

  大功率器件

  S i C 功率二极管

 S i C

 SB D S I C - M OS FET

 S i C

 L G B T

  S i C

 T h y r isto r

  用于电动汽车的车载充电设备

  电机驱动控制器

 S i C 下 游应用领域

 、

  新能源汽车

 等

 航空航天

  碳化硅纤维 , 适于制作耐高温材料 ( 热屏蔽材 料 、 耐高温输送带 、 过滤高温气体或熔融金属的滤布 )

 、 增强材料 ( 常 与 碳纤维 、 玻璃纤维合 用 , 以增强金属 、 陶瓷为主 )

 ……

 技术难点 / 重点

 生产 S i C 单晶衬底的关键步骤 - 单晶的生长

  主要制备过程大致分为 两 步 :

 第 一 步

 S i C

 粉料在单晶炉中经过高温升华之后在单晶炉中形成

 S i C晶锭 ; 第二步通过对

 S i C

 晶锭进行粗加工 、 切 割 、 研磨 、 抛光 , 得到透明或半透明 、 无损伤 层 、 低粗糙度的

 S i C

 晶片 ( 即

 S i C 衬底 )

 第一 至 三代半导体材 料渊源和概况

  全球市场概览

 呈现寡头竞争格局 - 美日欧玩家占据主导地位

 原因 :

 美日欧玩家起步早

  C r ee Dow C o r n i n g

 S i C r y st al

  国外玩家占据市场主导地位

  II-VI

  新日铁住金

  N o r stel

  产 业 链 上 游 - 衬底

 ……

  山 东 天岳

  北京天科合达

  国内玩家

 河北同光晶体有限公司

  中科钢研节能科技有限公司

  ……

 S i C —— 宽禁带材料领域技术成熟度最高

  Dow C o r n i n g II-VI

 N o r stel

 国外玩家占据主导地位

  C r ee

  罗姆

 S i C 半导体产 业 链玩家

  产 业 链中游 - 外延片 ( 在衬底 上 生长 一 层单晶硅 )

 三 菱电机

  I n f i n eo n

  ……

  瀚天天成电子科技 ( 厦门 )

 有限公司

  国内玩家

 东 莞市天域半导体科技公司

  ……

 英飞凌

 ( Q YR esear c h )世 界排名前五的 S i C 功率组件制造公司

  安森美

  意法半导体

  N . V . 三 菱电机

  Vis ha y 半导体

  产 业 链 下 游 - 器件制造

 中国电子科技集团有限公司

  2 所

 高纯碳化硅材料 、 高纯半绝缘晶片

  1 3 所

  55 所

 ( 全产 业 链 )

 4 ~ 6 寸碳化硅外延生长 、 芯片设计与 制造 、 模块封装

 第三代半导体材 料 市场情况 - (电子功率器件)

 国内玩家 ( 器件 / 模块 / IDM )

 株洲中车时代电气股份有限公司北京 世 纪金光半导体有限公司 泰科天润半导体科技公司

 厦门芯光润泽科技有限公司

  扬州扬杰电子科技股份有限公司

  上 海瞻芯电子科技有限公司

  ……

 创新情况

  市场预期

  M a r k et

 I n si g ht s

 R ep o r ts 预测在 2 0 2 0 - 2 0 2 6年 , 全球碳化硅半导体市场将以 1 7 . 2 % 的复合年增长率增长

 性能特点

  高输出功率 、 高功率密度 、 高工作带宽 、 高效率

  体积小

  重量轻等

 光电领域

  L ED

  V CSEL ( 垂直腔面射型激光器 )

 功率放大器 P A

 下 游应用领域

 射频通讯 ( 射频前端 R F )

 双工器

 Dup l e x er 和 Di p l e x er

  射频开关 S w it c h

  滤波器 F i l t er

  低噪音放大器 LN A

  功率器件

 G aN

 FET

  全球市场概览

  日本住友电工旗 下 SE DI 公司

 硅基 G aN

  C r ee 旗 下 Wo l f s p eed I n f i m eo n

 国外

 Q o r v o

  M A C OM

 IDM

  A m p l eo n R F H I C

 苏州能讯

  主要玩家

 国内

 英诺赛科

  大连芯冠科技

 代工

 国内

  海威华芯 ( 主要为军工服务 )三 安集成

  创新情况

 国内

 2 0 2 0

  --- 上 海芯元基半导体科技有限公司

 开发出低位错密度的高阻 G aN 材料 , 可用于电子功率器件和微波射频器件等的制备

  市场预期

 5 G 射频端需求带动 G aN 材料器件市场增长

 碳化硅 ( S i C )

 ( 氮化镓 )

 G aN

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